Dari sekian banyak kegunaan transistor di dalam
rangkaian elektronika, salah satunya adalah sebagai saklar. Syarat untuk mengerjakan transistor sebagai saklar adalah daerah kerja transistor harus berada pada daerah tersumbat ( cut off ). Transistor sebagai saklar mempunyai dua kondisi yang bergantian yaitu kondisi “tertutup” pada saat saturasi dan kondisi “terbuka“ pada saat cut off.
( Gambar 2.17<1> )
Transistor Sebagai Saklar
II.12.1. Transistor Dalam Kondisi Terbuka
Pada saat transistor cut off, tidak ada arus yang mengalir melalui beban Rc kecuali arus bocor yang sanngat kecil ( Iceo ), sehingga besarnya tegangan antra kolektor emitor ( Vce ) adalah :
Vce = Vcc – Iceo x Rc………………………………………………………( 2.1 )
Karena Ice sangat kecil ( Iceo = 0 ) maka tegangan Vce menjadi :
Vce = Vcc……………………………………………………………………( 2.2 )
Sedangkan tegangan jatuh pada Rc sangat kecil sehingga dapat diabaikan. Transistor sebagai saklar terbuka seperti pada gambar 2.18.
(Gambar 2.18 <2>)
Transistor Dalam Kondisi Terbuka
II.12.2. Transistor Dalam Kondisi Tertutup
Bila transistor mendapat tegangan positif pada basisnya, transistor akan menjadi saturasi maka arus basis ( Ib ) mengalir dan menyebabkan arus mengalir dari kolektor ( Ic ) ke emitor ( Ie ) melalui tahanan beban ( Rc ) sehingga tegangan antara kolektor dan emitor menjadi nol ( Vce = 0 ) dan tegangan jatuh pada beban Rc adalah :
Vcc = Ic x Rc……………………………………………………………( 2.3<3> )
Besarnya arus basis pada saat transistor dalam keadaan saturasi adalah :
Vbb - Vbe
Ib = ---------- ………………………………………………………( 2.5<4> )
Rb
Menurut hokum Kirchoff besarnya arus yang mengalir di emitor ( Ie ) adalah :
Ie = Ib + Ic ………………………………………………………………..( 2.6<5> )
Transistor sebagai saklar tertutup, seperti pada gambar 2.19.
( Gambar 2.19 )
Transistor Sebagai Saklar Tertutup
Arus yang mengalirpada kolektor ( Ic ) saat transistor saturasi adalah :
Ic = Vcc / Rc………………………………………………………………( 2.7<6> )
<1> Albert Paul Malvino Ph D, Prinsip-Prinsip Elektronika edisi III, hal 126
<2> Ibid, hal. 127
<3> Ibid, hal 127
<4> Ibid, hal 129
<5> ibid, hal.121
<6> Ibid, hal.122